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再生时代报道/佳能正在推进一项在日本建造新工厂的计划，以将其半导体光刻设备的产量提高一倍。佳能的新工厂将建在东京北部的宇都宫，估计成本超过 500 亿日元（3.57 亿美元），新工厂计划在 2025 年投入运营。该工厂将生产标准 KrF 和 i-line 机器以及纳米压印工具。

目前已经被确定的替代EUV光刻机的方案已经有三种，分别是1、纳米压印光刻（NIL）；2、直接自组装（DSA）光刻；3、电子束光刻（EBL）。

而佳能押注纳米压印光刻技术。目前佳能已经能够提供NIL光刻机。在NIL光刻专利中，佳能遥遥领先。当然，目前NIL光刻机还达不到EUV的精度，不能与EUV光刻机相比。

10月底佳能公布第三季度业绩后，其管理层想投资者发表讲话时提到了“我们领先的纳米压印光刻设备”。事实上，佳能的光刻设备在纳米压印领域处于领先地位。

佳能于 2014 年通过收购德克萨斯大学奥斯汀分校的分拆公司 Molecular Imprints 进入纳米压印业务。该公司现在更名为 Canon Nanotechnologies，已获得 170 多项专利，涵盖压印工具、材料、掩模、工艺技术和压印专用设备设计。

有分析称佳能纳米技术起源美国，可能会受到美国政府对中国出口的限制。但佳能的 KrF 和 i-line 光刻设备是上一代产品，对生产尖端半导体来说不是必不可少的，因此不受美国制裁。这类设备可以帮助中国中国提高原本需要进口的不太复杂的半导体设备的生产。当佳能的新工厂投产时，其大部分产品可能会运往中国。

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